H81K13BYA datasheet
![](/img-new/pdf.png)
О ДАТАШИТЕ
-
МаркировкаH81K13BYA
-
ПроизводительTE Connectivity
-
ОписаниеTE Connectivity H81K13BYA Application: Precision Element: Thin Film Lead Free Solder Processes: Wave solder capable to 240?°C, Wave solder capable to 260?°C, Wave solder capable to 265?°C Mount Style: Axial Leaded Number Of Resistors: 1 Number Of Terminations: 2 Package Type: Bandoliered Package, Component Size: 7.2 x 2.5 Power Rating: 250mW Power Rating (w): 0.25 Product Type: Fixed Resistor Resistance: 1.13kohm Resistance (?„¦): 1.13K Resistance Selection (?„¦): K Resistance Tolerance: ?‚?± 0.1% Resistor Case Style: Axial Resistor Element Material: Metal Film Resistor Type: Precision Resistor Rohs Compliant: Yes Rohs/elv Compliance: RoHS compliant, ELV compliant Rohs/elv Compliance History: Always was RoHS compliant Series: HOLCO Temperature Coefficient: ?‚?± 15ppm/?‚?°C Temperature Coefficient (ppm/?°c): ?±15 Termination Type: Tinned Copper Leads Tolerance (%): 0.1 Voltage Rating: 350V
-
Количество страниц1 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
![<p>TrendForce сообщает об очередных изменениях на рынке флэш-памяти NAND. В том числе на него повлияло сокращение производства, предусмотренное стратегией компании Samsung. У многих пользователей были определенные опасения, ситуацию усложняла неопределенность, приводящая к медленным закупкам, при этом количество запасов сократилось.</p> <p>TrendForce сообщает об очередных изменениях на рынке флэш-памяти NAND. В том числе на него повлияло сокращение производства, предусмотренное стратегией компании Samsung. У многих пользователей были определенные опасения, ситуацию усложняла неопределенность, приводящая к медленным закупкам, при этом количество запасов сократилось.</p>](/images/cache/aff80dadbc8cbebf7520f08d33c52745.png)
24.05.2024
![<p>Компания Infineon Technologies AG выпустила новейший МОП-транзистор на основе карбида кремния (SiC), CoolSiC MOSFET 650V и 1200V Generation 2, который стал новым достижением в области технологий преобразования энергии. Эта технология нового поколения значительно улучшает ключевые показатели производительности, такие как накопленная энергия и заряд, на 20 процентов по сравнению с предшественниками, без снижения качества и надежности. Это улучшение способствует повышению энергоэффективности, что вносит вклад в более широкие усилия по декарбонизации.</p> <p>Компания Infineon Technologies AG выпустила новейший МОП-транзистор на основе карбида кремния (SiC), CoolSiC MOSFET 650V и 1200V Generation 2, который стал новым достижением в области технологий преобразования энергии. Эта технология нового поколения значительно улучшает ключевые показатели производительности, такие как накопленная энергия и заряд, на 20 процентов по сравнению с предшественниками, без снижения качества и надежности. Это улучшение способствует повышению энергоэффективности, что вносит вклад в более широкие усилия по декарбонизации.</p>](/images/cache/1f8030008b2af69308b1c6826ad6ec45.jpg)
22.05.2024
![Тайваньская академия наук, Academia Sinica, представила инновационный 5-битный сверхпроводящий квантовый компьютер, что является значительным достижением в области квантовых вычислений и укрепляет позиции Тайваня как одного из лидеров в этой быстро развивающейся сфере. Тайваньская академия наук, Academia Sinica, представила инновационный 5-битный сверхпроводящий квантовый компьютер, что является значительным достижением в области квантовых вычислений и укрепляет позиции Тайваня как одного из лидеров в этой быстро развивающейся сфере.](/images/cache/7aedd7dbb8af1dcb971a2e33df138608.jpg)
21.05.2024